Erzeugung und Charakterisierung metallischer Nanostrukturen auf n-Si(111):H Einkristalloberflächen
dc.contributor.author | Hugelmann, Martin | * |
dc.date.accessioned | 2021-02-11T12:51:31Z | |
dc.date.available | 2021-02-11T12:51:31Z | |
dc.date.issued | 2004 | * |
dc.date.submitted | 2019-07-30 20:01:59 | * |
dc.identifier | 34828 | * |
dc.identifier.uri | https://directory.doabooks.org/handle/20.500.12854/46742 | |
dc.description.abstract | Zyklische Voltammetrie und elektrochemisches Rastertunnelmikroskop (STM) wurden dazu verwendet die Eignung der Metalle Co, Pb, Cu und Au zur lokalisierten Elektrodeposition auf n-Si(111):H Einkristalloberflächen zu untersuchen. Dabei konnten auf atomar glatten n-Si(111):H Oberflächen abgeschiedene Co, Cu und Au Cluster mittels STM abgebildet werden. Die in situ Charakterisierung elektrochemisch gewachsener makroskopischer Co/n-Si(111):H, Pb/n-Si(111):H, Cu/n-Si(111):H und Au/n-Si(111):H-Kontakte erlaubte das elektronische Kontaktverhalten zu bestimmen. Mit Hilfe der gewonnen Erkenntnisse konnten 0D und 1D Pb-Nanostrukturen auf n-Si(111):H-Oberflächen lokalisiert aufgewachsen werden.Zur in situ Charakterisierung von Nanostrukturen wurden die Distanz-Tunnel-Spektroskopie (DTS) und die Kontakt-Spektroskopie (CS) eingesetzt. Im System Au(111)-Substrat/Au-Spitze erlaubte eine modifizierte DTS-Annäherungsroutine den Abstandsnullpunkt zwischen Oberfläche und STM-Spitze mit einer Genauigkeit von 1/3 Monolage zu bestimmen und Oszillationen der Barrierenhöhe in Abhängigkeit des Abstands zu messen. In situ Strom/Spannungs-Messung an 1D Goldpunktkontakten wiesen auf ein rein ohmsches Verhalten hin. Unterdessen spiegelten CS-Untersuchungen an Au/n-Si(111):H-Nanodioden gleichrichtendes Kontaktverhalten wider, wobei im Vergleich zu makroskopischen Au/n-Si(111):H-Kontakten eine um fünf Dekaden höhere Stromdichte ermittelt werden konnte. | * |
dc.language | German | * |
dc.subject | T1-995 | * |
dc.subject.classification | thema EDItEUR::T Technology, Engineering, Agriculture, Industrial processes::TB Technology: general issues | en_US |
dc.subject.other | Halbleiter | * |
dc.subject.other | Raster-Tunnel-Mikroskop | * |
dc.subject.other | Nanostruktur | * |
dc.subject.other | Barrierenhöhe | * |
dc.subject.other | Elektrochemie | * |
dc.title | Erzeugung und Charakterisierung metallischer Nanostrukturen auf n-Si(111):H Einkristalloberflächen | * |
dc.type | book | |
oapen.identifier.doi | 10.5445/KSP/1000001173 | * |
oapen.relation.isPublishedBy | 68fffc18-8f7b-44fa-ac7e-0b7d7d979bd2 | * |
oapen.relation.isbn | 3937300279 | * |
oapen.pages | VII, 189 p. | * |
peerreview.review.type | Full text | |
peerreview.anonymity | All identities known | |
peerreview.reviewer.type | Internal editor | |
peerreview.reviewer.type | External peer reviewer | |
peerreview.review.stage | Pre-publication | |
peerreview.open.review | No | |
peerreview.publish.responsibility | Scientific or Editorial Board | |
peerreview.id | 8ad5c235-9810-49eb-b358-27c8675324d9 | |
peerreview.title | Dissertations (Dissertationen) |
Files in this item
Files | Size | Format | View |
---|---|---|---|
There are no files associated with this item. |